半导体器件
专利权的终止
摘要

一种半导体器件包括彼此绝缘和分离的晶体管元件,并且这些晶体管元件依次彼此连接在地电位和预定电位之间。处于GND电位侧的晶体管元件为第一级,处于预定电位侧的晶体管元件为第n级。电阻元件或电容元件依次彼此串联连接在GND电位和预定电位之间。处于GND电位侧的电阻或电容元件为第一级,处于预定电位侧的电阻或电容元件为第n级。除了第一级晶体管元件以外的各个级晶体管元件的栅极端依次连接到连接点。从第n级晶体管元件的预定电位侧的端子抽取输出。

基本信息
专利标题 :
半导体器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1763951A
申请号 :
CN200510114108.4
公开(公告)日 :
2006-04-26
申请日 :
2005-10-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
冰见启明山田明葛原刚
申请人 :
株式会社电装
申请人地址 :
日本爱知县
代理机构 :
永新专利商标代理有限公司
代理人 :
王英
优先权 :
CN200510114108.4
主分类号 :
H01L27/02
IPC分类号 :
H01L27/02  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2019-10-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20051024
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20181024
2009-01-28 :
授权
2006-06-14 :
实质审查的生效
2006-04-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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