一种FinFET集成电路工艺下新型低触发静电保护装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种低触发静电保护装置，具体为一种FinFET集成电路工艺下新型低触发静电保护装置，以极低的成本、极少的额外步骤，缓解FinFET工作电压低而ESD防护装置开启电压过高的矛盾，有效地解决的ESD防护装置触发电压过高、静电冲击时无法及时开启的问题；包括半导体基底、部分绝缘层、鳍片区、FinFET栅介质电极、肖特基接触金属层和鳍片跨接层；在半导体基底中形成第一类型半导体阱区和第二类型阱区，在鳍片区形成第一类型或第二类型半导体沟道掺杂、第一类型或第二类型肖特基接触掺杂区、第一类型半导体或第二类型重掺杂区。
基本信息
专利标题 ：
一种FinFET集成电路工艺下新型低触发静电保护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267672A
申请号 ：
CN202111586867.6
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜一波杨帆邢红飞孙丽丽杜文汉
申请人 ：
常州鼎先电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区辽河路666号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111586867.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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