一种PD-SOI集成电路工艺下的新型ESD防护装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体技术领域中的集成电路ESD防护可靠性的设计，具体为针对一种PD‑SOI集成电路工艺下的新型ESD防护装置，在PD‑SOI集成电路工艺下通过适当掺杂和结构设计形成侧边附加结构，该侧边附加结构在与径向垂直的侧向方向上，从而为传统的PNPN可控硅结构提供了额外的嵌入式寄生机构，构成新型ESD防护装置；包含半导体基底一、半导体基底二、绝缘体介质一、绝缘体介质二、绝缘体上半导体基质一、绝缘体上半导体基质二、绝缘体上半导体基质上的多晶硅一和多晶硅二；所述多晶硅一根据方向不同分为径向多晶硅和侧边多晶硅，径向多晶硅和侧边多晶硅电连接，侧边多晶硅在一侧收窄，宽处与窄处有倒角；所述半导体基底一和半导体基底二可以为硅基底。
基本信息
专利标题 ：
一种PD-SOI集成电路工艺下的新型ESD防护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267673A
申请号 ：
CN202111587008.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜一波杨帆邢红飞孙丽丽杜文汉
申请人 ：
常州鼎先电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区辽河路666号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111587008.9
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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