一种集成电路加工工艺
实质审查的生效
摘要
本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种集成电路加工工艺，使用研磨装置对晶片进行研磨，研磨效率高；该方法包括以下步骤：S1、将块状的高纯度多晶硅置于坩埚内加热至融化，待硅融浆的温度稳定后，将晶种插入其中；S2、逐渐将晶种向上提升，形成晶棒，直至晶棒与液面完全分离，得到完整晶棒；S3、对晶棒进行处理后，将晶棒切成薄片，得到晶片；S4、将晶片送至研磨装置内，对晶片表层进行研磨；S5、对研磨后的晶片进行蚀刻、去疵、抛光、清洗，得到晶圆；S6、在晶圆上制作电路和电子元件，经针测工序后，进行构装，得到集成电路。
基本信息
专利标题 ：
一种集成电路加工工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530368A
申请号 ：
CN202210156164.8
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
靳绍华
申请人 ：
靳绍华
申请人地址 ：
河北省石家庄市长安区跃进街道跃进路66号星河盛世城
代理机构 ：
北京君恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
张林
优先权 ：
CN202210156164.8
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 B24B1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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