与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺
专利权的终止
摘要
本发明涉及半导体发光器件技术领域，特别是一种与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺。本发明采用SOI晶片为衬底，利用与标准集成电路工艺兼容的工艺制作，有源区采用PN结发光二极管结构，有源区两侧的无源区内分别设置DBR布拉格全反射器和DBR半反射器，构成谐振腔。
基本信息
专利标题 ：
与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941525A
申请号 ：
CN200510105261.0
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈弘达刘海军高鹏顾明
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
段成云
优先权 ：
CN200510105261.0
主分类号 ：
H01S5/00
IPC分类号 ：
H01S5/00 H01L21/84 H01L27/15 H01L33/00
法律状态
2013-11-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101542122648
IPC(主分类) : H01S 5/00
专利号 : ZL2005101052610
申请日 : 20050928
授权公告日 : 20080213
终止日期 : 20120928
号牌文件序号 : 101542122648
IPC(主分类) : H01S 5/00
专利号 : ZL2005101052610
申请日 : 20050928
授权公告日 : 20080213
终止日期 : 20120928
2008-02-13 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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