静电保护装置
授权
摘要
本实用新型实施例提供了一种静电保护装置，包括：非连接引脚，位于封装体上；虚拟焊盘，位于裸片上，所述裸片位于所述封装体中，所述虚拟焊盘与所述非连接引脚电连接；电源焊盘和接地焊盘，所述虚拟焊盘通过静电泄放电路与所述电源焊盘和所述接地焊盘发生电耦合；所述虚拟焊盘位于所述裸片的第一阱上方，所述电源焊盘位于所述裸片的第二阱上方，所述接地焊盘位于所述裸片的衬底上方，所述第一阱位于所述衬底中，所述第二阱位于所述第一阱中。本实用新型的技术方案可以提高芯片的静电保护能力。
基本信息
专利标题 ：
静电保护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922132791.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN210640240U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
许杞安
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201922132791.4
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L27/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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