硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线

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摘要

本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线，该硅基空气填充微同轴结构包括上层硅片、中层硅片和下层硅片；上层硅片设置第一凹槽；中层硅片的芯子硅片与第一凹槽位置对应；中层硅片的多个左支撑梁硅片设置在其第一硅片与芯子硅片之间；中层硅片的多个右支撑梁硅片设置在其芯子硅片与第二硅片之间；第一硅片和第二硅片分别设置贯穿上下表面的第一通孔阵列；下层硅片设置与第一凹槽对应的第二凹槽及与第一通孔阵列对应的第二通孔阵列。通过第一凹槽与第二凹槽形成填充空气的空腔结构，芯子硅片位于空腔结构内，形成传输性能好，易于与半导体工艺集成，适于批量生产的硅基空气填充微同轴结构。

基本信息

专利标题：

硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111900522A

申请号：

CN202010519994.3

公开（公告）日：

2020-11-06

申请日：

2020-06-09

授权号：

CN111900522B

授权日：

2022-04-01

发明人：

钱丽勋王文军李宏军王建志申晓芳杨志付兴中董春辉王胜福李丰梁敬庭周名齐周少波陈旭东石晶晶

申请人：

中国电子科技集团公司第十三研究所

申请人地址：

河北省石家庄市合作路113号

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所

代理人：

许小荣

优先权：

CN202010519994.3

主分类号：

H01P3/00

IPC分类号：

H01P3/00 H01L27/02