硅基混成多量子阱结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅基混成多量子阱结构，包括依次设置于衬底上的缓冲层和至少一个组合层；所述组合层包括势垒层和BGaAsBi材料的势阱层，所述势阱层的材料组分满足：BxGa1‑xAs1‑yBiy，x≥5％，y≥5％。所述势阱层相对于所述势垒层靠近所述缓冲层。本实用新型在保证硅基发光的前提下，能够极大地缓解晶格失配，以及能够克服热失配和极性失配；从而提高了半导体材料的质量，能够应用并有助于高速微电子器件的质量提升。
基本信息
专利标题 ：
硅基混成多量子阱结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121450985.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-06-28
授权号 ：
CN216488114U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
顾溢孙夺
申请人 ：
无锡中科德芯感知科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室
代理机构 ：
上海弼兴律师事务所
代理人 ：
杨东明
优先权 ：
CN202121450985.X
主分类号 ：
H01L33/04
IPC分类号 ：
H01L33/04 H01L33/06 H01L33/30 H01L33/00
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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