半导体器件
公开
摘要
提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：在第一方向上延伸的多条电源线；第一晶体管，每个第一晶体管形成在第一区域中并具有第一阈值电压；以及第二晶体管，每个第二晶体管形成在第二区域中并具有高于第一阈值电压的第二阈值电压。所述多条电源线中的一条插置在第一区域和第二区域之间，第一晶体管实现多路复用器的第一部分、时钟缓冲器和第一锁存器，该多路复用器的第一部分、时钟缓冲器和第一锁存器设置在数据路径上，第二晶体管实现多路复用器电路的第二部分和第二锁存器，该多路复用器电路的第二部分和第二锁存器设置在反馈路径上，多路复用器电路的第一部分和多路复用器电路的第二部分沿着第一方向设置在公共位置。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388494A
申请号 ：
CN202111140781.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜秉坤柳泰俊梁承贤李达熙
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
翟然
优先权 ：
CN202111140781.0
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/118
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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