静电放电保护器件及其形成方法与包含其的装置
公开
摘要
一种静电放电(ESD)保护器件和其制造方法。在一些实施例中，ESD保护器件包括：内部电路，在器件晶片中图案化且电耦合于第一节点与第二节点之间；静电放电(ESD)电路阵列，在载体晶片中图案化，其中ESD电路电耦合于第一节点与第二节点之间且配置成保护内部电路免于瞬态ESD事件，且其中器件晶片接合到载体晶片。
基本信息
专利标题 ：
静电放电保护器件及其形成方法与包含其的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420689A
申请号 ：
CN202210031708.8
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪道一林文杰李介文陈国基
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202210031708.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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