半导体器件
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摘要
本发明涉及半导体器件。提出一种半导体器件。半导体器件包括:半导体区域,半导体区域呈现第一导电类型的电荷载流子;晶体管单元,被包含在半导体区域中;半导体沟道区域,被包含在晶体管单元中,半导体沟道区域呈现与第一导电类型互补的第二导电类型的第一掺杂浓度的电荷载流子,其中半导体沟道区域和半导体区域之间的过渡区形成第一pn结。半导体器件进一步包括被包含在半导体区域中并且不同于半导体沟道区域的半导体辅助区域,半导体辅助区域呈现第二导电类型的第二掺杂浓度的电荷载流子,第二掺杂浓度与第一掺杂浓度相比更高至少30%,其中半导体辅助区域和半导体区域之间的过渡区形成第二pn结。
基本信息
专利标题 :
半导体器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109599432A
申请号 :
CN201811228445.X
公开(公告)日 :
2019-04-09
申请日 :
2015-12-17
授权号 :
CN109599432B
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
R.巴布尔斯克T.巴斯勒P.C.布兰特M.科托罗格亚J.G.拉文
申请人 :
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 :
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
申屠伟进
优先权 :
CN201811228445.X
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06 H01L29/08 H01L29/10 H01L29/40 H01L29/423 H01L29/739 H01L29/861 H01L27/02 H03K17/082
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法律状态
2022-04-19 :
授权
2019-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20151217
申请日 : 20151217
2019-04-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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