半导体器件
授权
摘要
本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；第一外延层，位于衬底上；第二外延层，位于第一外延层上；高压器件，位于第一外延层与第二外延层中；低压器件，位于第二外延层中；以及第一隔离区，位于第一外延层与第二外延层中，第一隔离区用于隔离高压器件和低压器件。本申请通过将低压器件制作在第二外延层中，大幅度减小了低压器件的尺寸，从而使芯片的整体面积显著缩小。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020352175.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-19
授权号 ：
CN211929492U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
冯荣杰
申请人 ：
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市黄姑山路4号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
张靖琳
优先权 ：
CN202020352175.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/02
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法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN211929492U.PDF
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