一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法，在外延层表面形成ONO结构；在第二氧化层上方设置第一掩膜，第一掩膜的设置位置与双栅极的位置相匹配；在第一掩膜下方留有的第二氧化层为双栅极间隔氧化层；在第二氧化层和双栅极间隔氧化层上方淀积多晶硅；回刻多晶硅，使双栅极间隔氧化层的表面外露，在双栅极间隔氧化层的两侧留有多晶硅侧墙，多晶硅侧墙为平面型VDMOS器件的双栅极结构。本发明的双栅极间隔氧化层在双栅极结构形成之前，先填充了双栅极之间的间隔区域，能够精确控制双栅极结构的位置，还能够实现体区注入成型的自对准，节省了工艺步骤，节约了成本。
基本信息
专利标题 ：
一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373676A
申请号 ：
CN202210051895.6
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
顾昀浦黄健孙闫涛张楠宋跃桦刘静吴平丽
申请人 ：
捷捷微电（上海）科技有限公司;江苏捷捷微电子股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼
代理机构 ：
广州京诺知识产权代理有限公司
代理人 ：
于睿虬
优先权 ：
CN202210051895.6
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/331 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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