一种双栅极结构像素电路

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摘要

一种双栅极结构像素电路，包括栅极层，所述栅极层被图案化为第一栅极层、第二栅极层，所述第一栅极层的上方设置栅极绝缘层和第一半导体层，所述第二栅极层的上方设置栅极绝缘层和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层的上方还设置阻隔层，所述第一半导体的上方还设置有第一过孔，所述第一过孔穿透阻隔层暴露出第一半导体层；所述第二栅极层上方设置有第二通孔、第三通孔，所述第二通孔、第三通孔均为穿透栅极绝缘层和阻隔层暴露出第二栅极层的设置，上述技术方案通过将SD层在图案化同时图案化出第二顶栅部，形成双栅结构的TFT，这种设计有更高的电流和器件稳定性，避免了器件因阈值电压漂移而造成OLED器件发光亮度不均。

基本信息

专利标题：

一种双栅极结构像素电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020577757.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-17

授权号：

CN212485338U

授权日：

2021-02-05

发明人：

陈伟黄志杰苏智昱

申请人：

福建华佳彩有限公司

申请人地址：

福建省莆田市涵江区涵中西路1号

代理机构：

福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

黄以琳

优先权：

CN202020577757.8

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L27/32 H01L21/336 H01L21/34