半导体器件
公开
摘要
提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：多个下电极，在半导体衬底上布置成蜂巢结构；以及支撑件，连接到所述多个下电极并限定多个开口区域，所述多个下电极通过所述多个开口区域暴露。所述多个开口区域中的每个的中心点布置在由所述多个下电极当中的三个对应的相邻下电极的中心点形成的三角形的重心处。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335341A
申请号 ：
CN202111174455.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金千培金昇辰李东均
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
屈玉华
优先权 ：
CN202111174455.1
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/108
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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