本公开涉及存储器单元和神经网络。一种进行存储器内计算操作的存储器单元，包括一对交叉耦合的反相器和用于选择性地进行与一对交叉耦合的反相器的逻辑状态相关联的读/写/保持操作的一对晶体管。该存储器单元还包括栅极耦合到一对交叉耦合的反相器并关于一对交叉耦合的反相器对称布置的一组晶体管。该存储器单元的输出节点位于该组晶体管的端子处，并且基于一对交叉耦合的反相器以及设置在该组晶体管的对之间的输入节点的逻辑状态来提供输出。可以生成具有能够进行存储器内计算操作的高密度布置存储器单元的存储器单元阵列。存储器单元可被布置为神经网络，该神经网络包括基于相应存储器单元的逻辑状态提供逻辑输出操作的一组存储器单元网络。