半导体装置的制造方法和半导体装置
专利权的终止
摘要
一种半导体装置(1、21)的制造方法，包括：准备由多个布线基板(2)制成，在至少一表面(2a)具有跨相互邻接的上述布线基板的边界而形成的导电构件(13)的原基板(11)的工序；使具有形成有功能元件(4)的功能面(3a)的半导体芯片(3)对着各布线基板，使其功能面与上述一表面隔有规定间隔而相对地连接的芯片连接工序；在此芯片连接工序后，在上述原基板与上述半导体芯片的间隙，以及上述导电构件上形成密封树脂层(7)的密封树脂层形成工序；在该密封树脂层形成工序之后，使上述原基板和切割工具(B)相对移动，以使该切割工具从与上述原基板的上述一表面呈相反侧的另一表面(2b)穿到上述一表面，由此沿着互相邻接的上述布线基板的边界切割上述原基板的切割工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法和半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101015053A
申请号 ：
CN200580029878.7
公开（公告）日 ：
2007-08-08
申请日 ：
2005-10-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谷田一真宫田修
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200580029878.7
主分类号 ：
H01L23/12
IPC分类号 ：
H01L23/12 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
法律状态
2020-10-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/12
申请日 : 20051017
授权公告日 : 20121003
终止日期 : 20191017
申请日 : 20051017
授权公告日 : 20121003
终止日期 : 20191017
2012-10-03 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-08-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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