一种高频器件用硅外延片的制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种高频器件用硅外延片的制备方法，硅外延炉反应腔体的基座升温，通入氯化氢气体对硅外延炉反应腔体的基座进行一次刻蚀，随后将基座温度降温；硅衬底片装在硅外延炉反应腔体的基座上，对硅衬底片表面进行气相抛光；使用氢气对反应腔体进行吹扫；三氯氢硅原料位于鼓泡器内，以氢气鼓泡的方式进入反应腔体，作为硅外延层的生长原料；硅外延片的硅外延层生长完成后，待温度降低后从基座上取出；硅衬底片导电类型为N型，电阻率低于0.005Ω·cm；硅外延片的硅外延层导电类型为N型，厚度为0.3~0.7μm，表层电阻率高于0.3Ω·cm。本发明克服了现有工艺中面临厚度、电阻率以及结晶质量经常无法稳定控制的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种高频器件用硅外延片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111463117A
申请号 ：
CN202010341350.X
公开（公告）日 ：
2020-07-28
申请日 ：
2020-04-27
授权号 ：
CN111463117B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
唐发俊李明达王楠赵扬
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请人地址 ：
天津市河西区洞庭路26号
代理机构 ：
天津中环专利商标代理有限公司
代理人 ：
李美英
优先权 ：
CN202010341350.X
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-08-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/205
申请日 : 20200427
申请日 : 20200427
2020-07-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111463117A.PDF
PDF下载
