一种发光二极管外延片制备方法及外延片
实质审查的生效
摘要

本发明公开一种发光二极管外延片制备方法及外延片,在制备应力释放层时,通过增大氨气的比例,降低逆反应和副反应产生的碳杂质含量,进而降低了碳杂质对电子和空穴复合的干扰,提高了所制备得到的外延片亮度。

基本信息
专利标题 :
一种发光二极管外延片制备方法及外延片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114420801A
申请号 :
CN202111564896.2
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2021-12-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘春杨胡加辉金从龙顾伟
申请人 :
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 :
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 :
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 :
李晨幼
优先权 :
CN202111564896.2
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  C30B25/16  C30B25/18  C30B29/40  H01L33/06  H01L33/12  H01L33/14  
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211220
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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