一种发光二极管外延片制备方法及外延片
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种发光二极管外延片制备方法及外延片，在制备应力释放层时，通过增大氨气的比例，降低逆反应和副反应产生的碳杂质含量，进而降低了碳杂质对电子和空穴复合的干扰，提高了所制备得到的外延片亮度。
基本信息
专利标题 ：
一种发光二极管外延片制备方法及外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420801A
申请号 ：
CN202111564896.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘春杨胡加辉金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李晨幼
优先权 ：
CN202111564896.2
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 C30B25/16 C30B25/18 C30B29/40 H01L33/06 H01L33/12 H01L33/14
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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