沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法和SGT器件的制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底内形成沟槽；步骤二、采用热氧化工艺形成场氧；步骤三、淀积形成第二氧化层；步骤四、采用第三材料层填充完全填充沟槽；步骤五、将沟槽外的第二氧化层表面的第三材料层去除；步骤六、以第三材料层为自对准掩膜进行氧化层的湿法刻蚀，利用第二氧化层的湿法刻蚀速率大于场氧的湿法刻蚀速率的特点，在湿法刻蚀中沿第二氧化层一侧的场氧会加速刻蚀并在湿法刻蚀完成后从上往下场氧会形成厚度逐渐增加的结构；步骤七、去除第三材料层。本发明还公开了一种SGT器件的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法和SGT器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111128706A
申请号 ：
CN201911375600.5
公开（公告）日 ：
2020-05-08
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN111128706B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
陈正嵘
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN201911375600.5
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/336 H01L29/423
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-06-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20191227
申请日 : 20191227
2020-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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