读参考电路、读操作电路及存储单元
公开
摘要
本申请提供一种读参考电路、读操作电路及存储单元,所述读参考电路包括:一个或多个并联的参考模块;所述参考模块包括两个串联且写入数据不同的第一参考单元和第二参考单元;所述第一参考单元、所述第二参考单元分别在写操作和读操作时的电流方向相同。本申请技术方案的读参考电路、读操作电路及存储单元能够避免MRAM在读操作时受到干扰。
基本信息
专利标题 :
读参考电路、读操作电路及存储单元
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114566199A
申请号 :
CN202011362372.0
公开(公告)日 :
2022-05-31
申请日 :
2020-11-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
汪腾野罗睿明王韬
申请人 :
中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 :
天津市西青区兴华道19号
代理机构 :
北京市一法律师事务所
代理人 :
刘荣娟
优先权 :
CN202011362372.0
主分类号 :
G11C11/4093
IPC分类号 :
G11C11/4093 G11C11/4096
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/4093
输入/输出数据接口装置,例如:数据缓冲器
法律状态
2022-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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