SRAM灵敏放大器电路及存储单元
授权
摘要
一种SRAM灵敏放大器电路及存储单元，所述SRAM灵敏放大器电路包括控制信号生成单元、信号放大单元以及信号输出单元，其中：所述控制信号生成单元，与时钟信号产生单元以及所述信号放大单元连接，所述信号放大单元，与所述控制信号生成单元以及所述信号输出单元连接，所述信号放大单元包括：位线信号锁存电路、位线信号放大电路以及正反馈电路；所述位线信号锁存电路，与所述信号放大单元连接；所述位线信号放大电路，与所述位线信号锁存电路和所述正反馈电路连接；所述正反馈电路与所述信号放大电路和所述信号输出电路连接；信号输出单元，与所述信号放大单元连接。本发明方案可以改善读余量，并提高读操作的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
SRAM灵敏放大器电路及存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111105827A
申请号 ：
CN201811251479.0
公开（公告）日 ：
2020-05-05
申请日 ：
2018-10-25
授权号 ：
CN111105827B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
柯蕾
申请人 ：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
李笑笑
优先权 ：
CN201811251479.0
主分类号 ：
G11C11/413
IPC分类号 ：
G11C11/413 G11C7/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-05-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/413
申请日 : 20181025
申请日 : 20181025
2020-05-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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