三维存储器件及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种3D存储器件包括具有交替的堆叠导电层和堆叠电介质层的存储堆叠体、半导体层和垂直地穿过该存储堆叠体延伸到该半导体层内的沟道结构。该沟道结构的面朝该半导体层的第一部分的第一横向尺寸大于该沟道结构的面朝该存储堆叠体的第二部分的第二横向尺寸。该沟道结构包括存储膜和半导体沟道。该半导体沟道的处于沟道结构的第一部分当中的部分的第一掺杂浓度大于该半导体沟道的处于该沟道结构的第二部分当中的部分的第二掺杂浓度。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335006A
申请号 ：
CN202111616138.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-11-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张坤吴林春周文犀夏志良霍宗亮
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京永新同创知识产权代理有限公司
代理人 ：
张文锦
优先权 ：
CN202111616138.0
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/1157 H01L27/11556 H01L27/11524
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11582
申请日 : 20201113
申请日 : 20201113
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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