半导体器件、存储器器件及其形成方法
实质审查的生效
摘要
在某些方面，一种半导体器件包括衬底、在衬底中的第一沟槽隔离、形成在第一沟槽隔离下方的第一掺杂区、形成在衬底中的第二掺杂区以及相邻于第二掺杂区形成的第一栅极结构。第一掺杂区为离子注入区，并且第一掺杂区与第二掺杂区之间的距离等于或大于0.6μm。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、存储器器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503264A
申请号 ：
CN202280000270.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈亮
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京永新同创知识产权代理有限公司
代理人 ：
林锦辉
优先权 ：
CN202280000270.5
主分类号 ：
H01L27/11529
IPC分类号 ：
H01L27/11529 H01L27/11551 H01L27/11573 H01L27/11578 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11526
以外围电路区为特征的
H01L27/11529
包含单元选择晶体管的存储区的，例如，NAND
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11529
申请日 : 20220104
申请日 : 20220104
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
