可变电阻式存储器
授权
摘要
本发明的可变电阻式存储器包含：阵列区域，以行列状配置多个存储单元，所述多个存储单元包含可变电阻器件与连接于所述可变电阻器件的存取用的晶体管；多个字线，连接于列方向的存储单元；区域位线，在阵列区域的行方向延伸；多个区域源极线，连接于行方向的存储单元的一侧的电极；共享位线，连接于区域位线，且连接于列方向的存储单元的另外一侧的电极；以及写入装置，将区域位线以及多个区域源极线预充电到第1电压，并对所选择的字线施加写入电压之后，通过让所选择的源极线放电，而对所选择的存储单元施加写入脉冲。
基本信息
专利标题 ：
可变电阻式存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111627478A
申请号 ：
CN201911255929.8
公开（公告）日 ：
2020-09-04
申请日 ：
2019-12-10
授权号 ：
CN111627478B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
富田泰弘
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵平
优先权 ：
CN201911255929.8
主分类号 ：
G11C13/00
IPC分类号 ：
G11C13/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C13/00
特征在于使用不包括在G11C11/00，G11C23/00或G11C25/00各组内的存储元件的数字存储器
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-09-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 13/00
申请日 : 20191210
申请日 : 20191210
2020-09-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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