存储装置及半导体装置
专利申请权、专利权的转移
摘要

一种存储装置,包括存储器件,所述存储器件每个都具有存储元件,所述存储元件具有如下特性:不低于第一阈值信号的电信号的施加,允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状态,以及不低于第二阈值信号的电信号的施加,允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态,所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性;所述存储器件每个都具有电路元件,与存储元件串联以作为负载,其中,存储器件以矩阵排列,且每个存储器件的端子之一与公共线连接;并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。

基本信息
专利标题 :
存储装置及半导体装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1770319A
申请号 :
CN200510107643.7
公开(公告)日 :
2006-05-10
申请日 :
2005-09-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
八野英生冈崎信道大塚涉对马朋人相良敦中岛智惠子森宽伸长尾一
申请人 :
索尼株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
黄小临
优先权 :
CN200510107643.7
主分类号 :
G11C11/34
IPC分类号 :
G11C11/34  G11C13/00  H01L27/10  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
法律状态
2017-02-01 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101746002562
IPC(主分类) : G11C 11/34
专利号 : ZL2005101076437
登记生效日 : 20170111
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 索尼株式会社
变更后权利人 : 索尼半导体解决方案公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本神奈川厚木市朝日町4-14-1
2009-04-22 :
授权
2006-07-05 :
实质审查的生效
2006-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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