程序可控半导体结构及其编制程序法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种类型的集成电路陈列，包括几个程序可控单元，可以将这些程序可控单元编成四种可能的电阻抗状态。例如：第一种状态是在两个方向上电阻抗都是高的；第二种状态是在一个方向上电阻抗是高的，在相反方向上电阻抗是低的；第三种状态是在相反方向上电阻抗是高的，在第一个方向上电阻抗是低的；第四种状态是在两个方向上的电阻抗都是低的。
基本信息
专利标题 ：
程序可控半导体结构及其编制程序法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108221A
申请号 ：
CN85108221.1
公开（公告）日 ：
1987-05-20
申请日 ：
1985-11-12
授权号 ：
CN1006262B
授权日 ：
1989-12-27
发明人 ：
斯塔福德·R·奥夫辛斯基罗伯特·R·约翰逊文森特·D·肯尼拉茨维·亚尼夫
申请人 ：
能源转换装置公司
申请人地址 ：
美国密执安州48084特洛伊
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
刘晖
优先权 ：
CN85108221.1
主分类号 ：
H01L27/10
IPC分类号 ：
H01L27/10 G11C13/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
法律状态
1995-12-27 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
国际专利分类号(主分类） : H01L27/10
1990-09-05 ：
授权
1989-12-27 ：
审定
1988-06-01 ：
实质审查请求
1987-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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