读写转换电路、存储器
授权
摘要
本实用新型涉及存储技术领域，提出一种读写转换电路、存储器。该读写转换电路包括：第一预充电路、正反馈电路、第二预充电路、第四开关单元、第六开关单元、第七开关单元、第八开关单元、第十开关单元、第十一开关单元、第十二开关单元、第十三开关单元、第十四开关单元、第十五开关单元。该读写转换电路能够在信号读取阶段，仅通过第一信号端或者第二信号端中一个向第三信号端和第四信号端读取相应的信号，以及能够在信号写入阶段，仅通过第三信号端或者第四信号端中一个向第一信号端和第二信号端写入相应的信号。
基本信息
专利标题 ：
读写转换电路、存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922090959.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-27
授权号 ：
CN210805233U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
尚为兵
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201922090959.X
主分类号 ：
G11C11/409
IPC分类号 ：
G11C11/409
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/409
读写电路
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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