一次可编程存储器的读写电路
授权
摘要
本公开提供一种一次可编程存储器的读写电路，包括：反熔丝阵列，包括：n*n个反熔丝单元，耦接在第一节点和第二节点之间，反熔丝单元中的开关元件的控制端分别耦接于不同字线信号和位线信号的与信号；并联在第二节点和第二电压源之间的第一开关元件和第一电容；基准阵列，包括串联在第一节点和第三节点之间的基准电阻和基准开关元件，基准开关元件的控制端耦接于n*n个与信号的或信号；并联在第三节点和第二电压源之间的第二开关元件和第二电容；比较电路，第一输入端耦接于第二节点，第二输入端耦接于第三节点。本公开实施例具有较简洁的电路连接、较小的电路面积、较高的电路可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一次可编程存储器的读写电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922140887.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN210925501U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
李新应战
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201922140887.5
主分类号 ：
G11C17/16
IPC分类号 ：
G11C17/16 G11C17/18 G11C7/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C17/00
只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如：可手动更换的信息卡
G11C17/14
通过有选择地建立、断开或修改能永久变更耦合元件状态的连接链路确定其存储内容的，例如，PROM
G11C17/16
应用电可熔链路的
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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