灵敏放大器、存储器读写电路以及存储器
授权
摘要
本实用新型提供一种灵敏放大器、存储器读写电路以及一种存储器，所述灵敏放大器包括：两个PMOS晶体管、两个NMOS晶体管、第一输入输出端和第二输入输出端，所述两个PMOS晶体管分别为第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管，所述两个NMOS晶体管分别为第一NMOS管和第二NMOS晶体管；四个开关单元，所述第一PMOS晶体管、所述第一NMOS晶体管分别通过一开关单元连接至所述第一输入输出端，所述第二PMOS晶体管、所述第二NMOS晶体管分别通过一开关单元连接至与所述第二输入输端，所述开关单元用于将各PMOS晶体管和各NMOS晶体管配置为放大模式或者二极管模式；所述第一NMOS晶体管的栅极用于连接至位线，所述第二NMOS管的栅极用于连接至参考位线。上述灵敏放大器的性能得到提高。
基本信息
专利标题 ：
灵敏放大器、存储器读写电路以及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921569846.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-20
授权号 ：
CN210606637U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
尚为兵曹堪宇
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921569846.1
主分类号 ：
G11C7/06
IPC分类号 ：
G11C7/06 G11C7/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/06
读出放大器；相关电路
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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