EEPROM及其读写电路
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种EEPROM及其读写电路,其中读写电路包括:存储电路和若干组锁存器,每组锁存器包括电压切换电路和锁存电路;第一切换电路包括第一NMOS管,该管的栅极与第一锁存电路的数据传输端电连接,该管的源极与存储电路的第一电压端电连接;第二切换电路包括第二NMOS管,该管的栅极与第二锁存电路的字节选择端电连接,该管的源极与存储电路的第二电压端电连接。本发明对EEPROM的读写电路进行优化设计,采用电压切换电路读写通路共用的方式,使得读写电路的器件减半,实现读、写、擦功能的同时,减少器件的数量,降低芯片的成本,简化电路结构,减小占用空间,满足了EEPROM低功耗、低成本的产品需求。

基本信息
专利标题 :
EEPROM及其读写电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114300018A
申请号 :
CN202111618280.9
公开(公告)日 :
2022-04-08
申请日 :
2021-12-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王鑫周浩宋金星陆云杨阳赵犇
申请人 :
上海贝岭股份有限公司
申请人地址 :
上海市徐汇区宜山路810号
代理机构 :
上海弼兴律师事务所
代理人 :
林嵩
优先权 :
CN202111618280.9
主分类号 :
G11C16/06
IPC分类号 :
G11C16/06  G11C5/14  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/06
辅助电路,例如:用于写入存储器的
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/06
申请日 : 20211227
2022-04-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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