一种三维相变存储器的读写电路
授权
摘要
本发明公开了一种三维相变存储器的读写电路,属于微电子技术领域,包括互相连接的操作控制电路和读写操作点开,操作控制电路用于将正确操作脉冲加载到读写操作电路上;读写操作电路中读写单元中与存储单元连接,用于将正确操作脉冲加载到三维相变存储器对应的存储单元上,将正确操作脉冲镜像为镜像电流;带隙基准源与迟滞比较器与镜像电路支路连接,用于当镜像电流经参考电阻得到的电压大于带隙基准源内的参考电压时,迟滞比较器输出为高电平,反之为低电平;反馈斩波电路回路跨接在存储单元与镜像电路支路之间,用于实时监测流经存储单元的电流,当电流过大时进行降压控制,使其温度不能短时间积聚,从而防止热击穿、set操作不成功和热串扰。
基本信息
专利标题 :
一种三维相变存储器的读写电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113345491A
申请号 :
CN202110575670.6
公开(公告)日 :
2021-09-03
申请日 :
2021-05-26
授权号 :
CN113345491B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
王兴晟阳帆周凌珺王成旭缪向水
申请人 :
华中科技大学
申请人地址 :
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 :
华中科技大学专利中心
代理人 :
王颖翀
优先权 :
CN202110575670.6
主分类号 :
G11C11/56
IPC分类号 :
G11C11/56 G11C16/10 G11C16/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/56
使用具有按级表示的两个以上稳态的存储元件的,如:电压、电流、相位、频率的
法律状态
2022-05-17 :
授权
2021-09-21 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/56
申请日 : 20210526
申请日 : 20210526
2021-09-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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