Flash存储器的数据读写方法
公开
摘要
本申请是关于一种Flash存储器的数据读写方法。该方法包括：获取待存储数据；读取第m单元的校验位数据，m为大于或等于零的整数；根据第m单元的校验位数据判断第m单元的数据存储情况，若第m单元中无存储数据，则在第m单元写入待存储数据后判断待存储数据是否写入成功，若是，则将m加一并将写错计数清零后执行获取待存储数据的步骤；若否，则将写错计数加一后，判断写错计数是否大于或等于第一写错计数阈值，若是，则对Flash存储器进行数据擦除并将m和写错计数清零后，结束数据存储程序并发出使用寿命检测提醒。本申请提供的方案，能够提高Flash存储器的读写速度并避免其使用寿命被浪费。
基本信息
专利标题 ：
Flash存储器的数据读写方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114461537A
申请号 ：
CN202111604778.X
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
钟菲宋飞陈炫锐叶秀群
申请人 ：
珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市前山金鸡西路
代理机构 ：
广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刁益帆
优先权 ：
CN202111604778.X
主分类号 ：
G06F12/02
IPC分类号 ：
G06F12/02 G06F3/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F12/00
安装在筛选装置之上的在存储器系统或体系结构内的存取、寻址或分配
G06F12/02
寻址或地址分配；地址的重新分配
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
