一种存储器、存储器阵列以及存储器的数据读写方法
实质审查的生效
摘要
一种存储器(10)、存储器阵列(200)以及存储器(10)的数据读写方法。其中，存储器(10)包括：第一半导体(101)、第一铁电薄膜(102)、第一写电极(103)、第一读电极(104)以及第二读电极(105)；第一半导体(101)相对的两端分别设置第一读电极(104)与第二读电极(105)；第一铁电薄膜(102)包裹第一半导体(101)的未被第一读电极(104)和第二读电极(105)连接的表面；第一铁电薄膜(102)的外表面与第一写电极(103)连接。通过第一写电极(103)向第一铁电薄膜(102)施加电压，以改变第一铁电薄膜(102)的极化状态。根据第一铁电薄膜(102)不同的极化状态调制第一半导体内电荷分布情况。使得第一半导体(101)在第一读电极(104)与第二读电极(105)施加相同读取电压时，产生不同的电流。
基本信息
专利标题 ：
一种存储器、存储器阵列以及存储器的数据读写方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342075A
申请号 ：
CN201980099990.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2019-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许俊豪
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂秀娜
优先权 ：
CN201980099990.X
主分类号 ：
H01L27/11502
IPC分类号 ：
H01L27/11502
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11502
具有铁电体存储器电容器的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11502
申请日 : 20190926
申请日 : 20190926
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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