一种命令读写装置、存储器
授权
摘要
本实用新型实施例提供的命令读写装置，包括：总线接口模块，缓存控制模块，缓存模块，读写模块；缓存控制模块包括：第一缓存控制模块、第二缓存控制模块；缓存模块包括：至少两个读缓存区，至少两个写缓存区；总线接口模块用于接收总线读/写命令；第一缓存控制模块用于将接收到的属于同一突发脉冲DDR Burst访问的总线写命令写入同一写缓存区；第二缓存控制模块用于将与总线读命令属于同一DDR Burst访问的读缓存区的数据返回；读写模块用于读取读缓存区或写缓存区执行DDR Burst读或写操作。通过将多个小数据读写操作命令合并到一起，减少了需要发起DDR Burst读写操作的次数，提高了数据读写效率。
基本信息
专利标题 ：
一种命令读写装置、存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922119686.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN211376201U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
何凯王旭亮孙长江李开亮
申请人 ：
深圳市国微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新南一道015号国微研发大楼6层A
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
江婷
优先权 ：
CN201922119686.7
主分类号 ：
G11C7/22
IPC分类号 ：
G11C7/22 G11C7/10 G06F13/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
G11C7/22
读写定时或计时电路；读写控制信号发生器或管理
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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