存储器阵列
公开
摘要
本发明提供一种存储器阵列，包括：多个存储单元、多条位线、多条选择管字线和多条选择管字线，其中，所述存储单元构成m行×n列的阵列，各所述存储单元均包括：串联的选择管和存储管；各所述选择管的源极和栅极相连接并且同一行的所述选择管的栅极均连接对应的一所述选择管字线。本申请通过将选择管和存储管背靠背相邻设置，比传统的两管(选择管和存储管)分离结构的SONOS器件更加节省面积。进一步的，将各存储单元中的所述选择管的源极和栅极共接，从而省去了源线，在外接电路设计上更加简洁。
基本信息
专利标题 ：
存储器阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566194A
申请号 ：
CN202210149566.5
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王宁张可钢
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202210149566.5
主分类号 ：
G11C5/02
IPC分类号 ：
G11C5/02 G11C5/06 G11C7/12 G11C7/18 G11C8/08 G11C8/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C5/00
包括在G11C11/00组中的存储器零部件
G11C5/02
存储元件的排列，例如，矩阵形式的排列
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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