基于堆叠纳米片结构的四管静态随机存储器单元电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于堆叠纳米片结构的四管静态随机存储器单元电路，主要解决现有存储器单元读写稳定性差的问题。其包括两个N型接入晶体管AXL、AXR，两个N型下拉晶体管PL、PR，两个存储节点QL、QR，一根字线WL，两根位线BL、BLB。PL和PR的源极均接地，漏极分别与QL、QR相连，栅极分别与QR、QL相连；AXL和AXR的下层栅极均与WL相连，漏极分别与BL、BLB相连，源极及上层栅极分别与QL、QR相连。两个接入晶体管上层栅极的金属功函数均低于两个下拉晶体管栅极的金属功函数，下层栅极的金属功函数均高于下拉晶体管栅极的金属功函数。本发明提高了存储器电路读写稳定性，可用于大规模集成电路制备。
基本信息
专利标题 ：
基于堆叠纳米片结构的四管静态随机存储器单元电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530451A
申请号 ：
CN202210117348.3
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李聪李高鹏郭增光成善霖游海龙庄奕琪
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN202210117348.3
主分类号 ：
H01L27/11
IPC分类号 ：
H01L27/11 H01L29/49 G11C5/02 B82Y10/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/11
静态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11
申请日 : 20220208
申请日 : 20220208
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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