静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器
公开
摘要
本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第一共栅互补场效应晶体管，所述晶体管单元还包括沿第二方向依次设置的第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道由第一鳍式结构形成，所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道由第二鳍式结构形成，所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道由第三鳍式结构形成，所述第二传输管的沟道由第四鳍式结构形成，所述第一方向平行于所述第二方向，紧凑的器件排布，降低了所占面积，节约制造成本。本发明还提供了一种存储器。
基本信息
专利标题 ：
静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300455A
申请号 ：
CN202111528228.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丁荣正俞少峰朱小娜朱宝尹睿
申请人 ：
复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张衡路825号
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111528228.4
主分类号 ：
H01L27/11
IPC分类号 ：
H01L27/11
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/11
静态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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