本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：基于第一程序化模式执行第一写入操作，以通过多个通道将第一数据连续写入至多个第一芯片使能区域；以及在执行第一写入操作之后，基于第二程序化模式执行第二写入操作，以通过所述多个通道将第二数据连续写入至所述多个第一芯片使能区域与至少一第二芯片使能区域。所述多个第一芯片使能区域的总数大于所述至少一第二芯片使能区域的总数。借此，可提高可复写式非易失性存储器模块的存取效能。