一种固态电解质阻变存储器及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种固态电解质阻变存储器，其是在作为底电极的衬底上依次形成有PbS阻变介质层、Ga2O3阻变转换层，在Ga2O3阻变转换层上表面沉积有上电极层。同时本发明还公开了该阻变存储器的制备方法，该方法是将干燥洁净的衬底置于退火炉的托盘上，取PbS溶液滴加到衬底上，待溶液自动扩展并覆盖整个衬底表面后，进行退火处理，形成网络状的PbS阻变介质层；然后再依次溅射沉积Ga2O3阻变转换层和上电极层。本发明提供的阻变存储器添加了网络状PbS作为阻变存储器的介质层，对传统使用氧化物制备的存储器件在重复特性、保持特性、开启电压等方面起到了优化作用，其结构独特，性能表现良好，是一种存储性能佳、能耗低、应用前景更为广阔的阻变存储器。
基本信息
专利标题 ：
一种固态电解质阻变存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109065711A
申请号 ：
CN201810863849.X
公开（公告）日 ：
2018-12-21
申请日 ：
2018-08-01
授权号 ：
CN109065711B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
闫小兵裴逸菲任德亮
申请人 ：
河北大学
申请人地址 ：
河北省保定市五四东路180号河北大学
代理机构 ：
石家庄国域专利商标事务所有限公司
代理人 ：
孙丽红
优先权 ：
CN201810863849.X
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-01-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20180801
申请日 : 20180801
2018-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
