非互易单光子量子存储器

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摘要

本实用新型公开了一种非互易单光子量子存储器，所述量子存储器包括：原子发生组件、第一光路组件、耦合光路组件以及第二光路组件；所述第一光路组件用于对入射信号光进行调节，形成沿第一方向入射所述原子团的第一单光子；所述耦合光路组件用于产生耦合光，所述耦合光和所述第一单光子与所述原子团中原子能级满足电磁诱导透明条件，所述原子团存储该单光子；所述第二光路组件用于对入射信号光进行调节，形成沿第二方向入射所述原子团的第二单光子；所述耦合光和所述第二单光子与所述原子团中原子能级不满足电磁诱导透明条件，所述原子团不存储该单光子。应用本实用新型提供的非互易单光子量子存储器，实现了单光子的非互易存储。

基本信息

专利标题：

非互易单光子量子存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921655317.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-29

授权号：

CN210865631U

授权日：

2020-06-26

发明人：

丁冬生刘宗凯董明新史保森郭光灿

申请人：

中国科学技术大学

申请人地址：

安徽省合肥市包河区金寨路96号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

张静

优先权：

CN201921655317.3

主分类号：

G11C13/04

IPC分类号：

G11C13/04 G02B27/28 H04B10/70