一种量子点单光子源及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种量子点单光子源及其制备方法，包括从下到上依次排列的衬底层、金属层、电介质层、纳米线量子点层；所述纳米线量子点层设置成圆柱形，并包括纳米线量子点层底层、纳米线量子点层中层、纳米线量子点层顶层；所述纳米线量子点层的两侧对应位置设置有呈三角形对称的等离激元结构层；所述等离激元结构层设置在纳米线量子点层中层的高度位置。本发明的量子点单光子源能通过纳米线量子点层和等离激元结构层的耦合，改变二能级系统的局部光学态密度。
基本信息
专利标题 ：
一种量子点单光子源及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111029446A
申请号 ：
CN201911274935.8
公开（公告）日 ：
2020-04-17
申请日 ：
2019-12-12
授权号 ：
CN111029446B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
余鹏王志明马翠苹巫江
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李华
优先权 ：
CN201911274935.8
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/00
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-05-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20191212
申请日 : 20191212
2020-04-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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