基于半导体量子点的等效单光子源的产生系统及方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了基于半导体量子点的等效单光子源的产生系统及方法,包括正啁啾脉冲产生装置和量子点样品,其中:所述正啁啾脉冲产生装置用于产生30ps的正啁啾脉冲;所述量子点样品放置在4.0‑5.0K低温恒温器中,所述30ps的正啁啾脉冲垂直投射到量子点的表面,量子点吸收到能量,实现布居反转,从基态变为激发态,产生单光子。本发明采用通过正啁啾脉冲产生装置产生30ps的正啁啾脉然后在垂直投射到恒温低温条件下的量子点样品,可精密控制每个脉冲包含两个以上光子的概率小于0.5%,实现高纯度高质量的等效单光子源制备。

基本信息
专利标题 :
基于半导体量子点的等效单光子源的产生系统及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114389148A
申请号 :
CN202111673836.4
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
谢欢文李记烽郭邦红胡敏
申请人 :
广东国腾量子科技有限公司
申请人地址 :
广东省肇庆市高新区北江大道18号富民大厦1319室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202111673836.4
主分类号 :
H01S5/10
IPC分类号 :
H01S5/10  H01S5/125  H01S5/30  
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/10
申请日 : 20211231
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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