阻气性层合体及其制备方法、电子器件用部件以及电子器件
授权
摘要
本发明涉及阻气性层合体、其制备方法、由所述阻气性层合体构成的电子器件用部件和具备该电子器件用部件的电子器件，所述阻气性层合体具有：具有基材和改性促进层的基材单元，和在所述基材单元的改性促进层一侧形成的阻气层；所述阻气性层合体的特征在于：所述改性促进层在23℃下的弹性模量低于30GPa，所述基材单元在温度为40℃、相对湿度为90%下的水蒸气透过率为1.0g/(m2·天)以下，所述阻气层是对在所述基材单元的改性促进层一侧形成的含有聚硅氮烷系化合物的层的表面实施改性处理而形成的层。根据本发明，可提供阻气性和耐弯曲性优异的阻气性层合体等。
基本信息
专利标题 ：
阻气性层合体及其制备方法、电子器件用部件以及电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110144548A
申请号 ：
CN201910180189.X
公开（公告）日 ：
2019-08-20
申请日 ：
2015-06-02
授权号 ：
CN110144548B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
三村寿文铃木悠太永绳智史
申请人 ：
琳得科株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张桂霞
优先权 ：
CN201910180189.X
主分类号 ：
C23C14/10
IPC分类号 ：
C23C14/10 C23C14/08 C23C16/40 B05D1/00 B05D7/24 G02F1/1333
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/10
玻璃或二氧化硅
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2019-09-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/10
申请日 : 20150602
申请日 : 20150602
2019-08-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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