一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器及其制备方法，该堆叠忆阻器包括模拟型忆阻器和阈值型忆阻器，模拟型忆阻器包括顶电极Au、阻变层氧化钨(WOX)薄膜及底电极W；阈值型忆阻器包括顶电级W、阻变层银掺杂卡胶(Ag:ι‑car)薄膜及底电极Pt。该在堆叠忆阻器单个Au/氧化钨/W/银掺杂卡胶(Ag:ι‑car)/Pt/Ti/SiO2/Si忆阻器件中演示了人工神经元的LIF行为，通过调整施加脉冲的间隔和幅值，实现了人工神经元的全无尖峰、阈值驱动、不应期和频率强度调制。同时，该人工神经元电路设计简单，功耗低。
基本信息
专利标题 ：
一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497117A
申请号 ：
CN202210057163.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王中强卞景垚陶冶徐海阳刘益春
申请人 ：
东北师范大学
申请人地址 ：
吉林省长春市南关区人民大街5268号
代理机构 ：
辽宁鸿文知识产权代理有限公司
代理人 ：
王海波
优先权 ：
CN202210057163.8
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00 G06N3/04 G06N3/063
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/24
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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