图像传感器的半导体结构、芯片及电子装置
授权
摘要
本申请公开了一种图像传感器的半导体结构及相关芯片和电子装置。半导体结构包括半导体衬底和设置于半导体衬底的若干个像素组，每个像素组包括：位于同一行且相邻的第一像素及第二像素，位于另一行且相邻的第三像素及第四像素，第一像素及第三像素为对角错位设置，每个像素各自均包括四个子像素，每个像素里的四个子像素共用浮置扩散区且浮置扩散区被四个子像素的光敏传感器包围，第一像素和第三像素的输出电路共享，第一像素和第三像素共享的输出电路位于第一像素及第三像素之间且延伸至第一像素的左侧/右侧和第三像素的右侧/左侧，本申请可提高图像传感器的图像质量并改善输出电路的效能。
基本信息
专利标题 ：
图像传感器的半导体结构、芯片及电子装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921650250.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN209729909U
授权日 ：
2019-12-03
发明人 ：
陈经纬
申请人 ：
深圳市汇顶科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
代理机构 ：
北京天驰君泰律师事务所
代理人 ：
孟锐
优先权 ：
CN201921650250.4
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H04N5/374 H04N9/04
法律状态
2019-12-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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