图像传感器的半导体结构、芯片及电子装置

授权

摘要

本申请公开了一种图像传感器的半导体结构及相关芯片和电子装置。所述图像传感器的半导体结构(600)包括半导体衬底(101)和设置于所述半导体衬底的多个像素，其中所述多个像素包括：第一像素(P5')和第二像素(P6)，各包括：至少一光敏传感器(502、504、506、508)，用来将光线转换为电荷；以及输出电路，用来依据所述电荷产生像素输出，所述输出电路包括源跟随晶体管(108)以及行选择晶体管(110)电连接；其中，从俯视图来看，所述第一像素的所述行选择晶体管的源/漏极和所述第二像素的所述行选择晶体管的源/漏极共享所述半导体衬底的一区域。本申请对图像传感器的半导体结构的输出电路进行改良以降低面积并改善效能。

基本信息

专利标题：

图像传感器的半导体结构、芯片及电子装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921414885.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-27

授权号：

CN210429816U

授权日：

2020-04-28

发明人：

陈经纬

申请人：

深圳市汇顶科技股份有限公司

申请人地址：

广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层

代理机构：

北京天驰君泰律师事务所

代理人：

孟锐

优先权：

CN201921414885.4

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146