薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置
授权
摘要
本申请公开了一种薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置，所述薄膜半导体结构包括一像素(P11)，包括：光电二极管(102)，用来在曝光操作时，将光线转换为电荷；第一薄膜晶体管(106)，闸极耦接至光电二极管的阴极；第二薄膜晶体管(108)，漏/源极耦接至第一薄膜晶体管的一源/漏极，第二薄膜晶体管至少于曝光操作时被开启，使电流得以经过第二薄膜晶体管供应电流给第一薄膜晶体管；以及电容(110)，一端耦接于第一薄膜晶体管的源/漏极和所述第二薄膜晶体管的漏/源极。
基本信息
专利标题 ：
薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921686042.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-10
授权号 ：
CN212010972U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
杨孟达
申请人 ：
深圳市汇顶科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
代理机构 ：
北京天驰君泰律师事务所
代理人 ：
孟锐
优先权 ：
CN201921686042.X
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H04N5/369 G06K9/00
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法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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