CMOS结构、图像传感器及手持装置
授权
摘要
本申请公开了一种CMOS结构(103_1)、图像传感器及手持装置，所述CMOS结构耦接至薄膜半导体结构，所述薄膜半导体结构包括至少一像素，所述像素用来在重置阶段产生重置信号并输出至所述CMOS结构，以及在感测阶段产生感测信号，并在读出阶段才将所述感测信号输出至所述CMOS结构，所述CMOS结构包括：运放(206)，正端(+)选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述重置信号，负端(‑)选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述感测信号；第一反馈电路(201)；以及第二反馈电路(203)，用于依据所述运放的所述输出端在所述重置阶段时的输出信号，来在所述读出阶段提供反馈信号至所述运放的所述正端。
基本信息
专利标题 ：
CMOS结构、图像传感器及手持装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922182676.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-06
授权号 ：
CN211509170U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
林奇青杨富强杨孟达
申请人 ：
深圳市汇顶科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
代理机构 ：
北京天驰君泰律师事务所
代理人 ：
孟锐
优先权 ：
CN201922182676.8
主分类号 ：
H04N5/374
IPC分类号 ：
H04N5/374 G06K9/00
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
