高稳定半导体氢敏传感器
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本实用新型公开了一种包含钯栅MOS器件的高稳定氢敏半导体传感器，它使一个氢敏钯栅MOS器件、一个对氢气没有电学响应的无钯层金属栅MOS器件、一个测温二极管与加热电阻集成在一块硅芯片上，用这样的氢敏半导体传感器组装成补偿电路的氢气检测装置具有高度稳定可靠的氢气检测性能。
基本信息
专利标题 ：
高稳定半导体氢敏传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN89206041.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1989-04-27
授权号 ：
CN2051351U
授权日 ：
1990-01-17
发明人 ：
徐永祥
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
卢纪
优先权 ：
CN89206041.7
主分类号 ：
G01N27/02
IPC分类号 ：
G01N27/02
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
法律状态
1994-12-14 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-09-26 ：
授权
1990-01-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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